Datasheet GT30J324 - Toshiba Даташит IGBT, 600 В, TO-3P(N) — Даташит

Купить GT30J324 на РадиоЛоцман.Цены — от 237 до 708 ₽ 15 предложений от 13 поставщиков TRANSISTOR 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, 2-16C1C, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor
727GS Весь мир	GT30J324 Toshiba	237 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	GT30J324	по запросу	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	GT30J324 Toshiba	по запросу	Купить
ТаймЧипс Россия	GT30J324(Q) Toshiba	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: IGBT, 600 В, TO-3P(N)

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GT30J324
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
GT30J324
High Power Switching Applications Fast Switching Applications
· · · The 4th generation Enhancement-mode Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference) High speed: tf = 0.05 µs (typ.) Low switching loss : Eon = 1.00 mJ (typ.) : Eoff = 0.80 mJ (typ.) · · Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.0 V (typ.) FRD included between emitter and collector Unit: mm

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 30 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.45 В
• Power Dissipation Max: 170 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
• Корпус транзистора: TO-3P (N)
• Current Ic Continuous a Max: 30 А
• Fall Time Typ: 50 нс
• Junction Temperature Tj Max: 150°C
• Junction to Case Thermal Resistance A: 0.735°C/W
• Package / Case: TO-3P (N)
• Power Dissipation: 170 Вт
• Power Dissipation Pd: 170 Вт
• Pulsed Current Icm: 60 А
• Rise Time: 70 нс
• Termination Type: Through Hole
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - TF 3 2
• Fischer Elektronik - WLK 5