Datasheet GT50J102 - Toshiba Даташит IGBT, 600 В, TO-3P(LH) — Даташит

Купить GT50J102 на РадиоЛоцман.Цены 8 предложений от 8 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 200000mW 3Pin(3+Tab) TO-3PL
МосЧип Россия	GT50J102(Q) Toshiba	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	GT50J102	по запросу	Купить
TradeElectronics Россия	GT50J102 Toshiba	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	GT50J102	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: IGBT, 600 В, TO-3P(LH)

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GT50J102
TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT
GT50J102
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS
l The 3rd.

Generation. l Enhancement-Mode. l High Speed. l Low Saturation Voltage. : tf = 0.30µs (Max.) : VCE(sat) = 2.7V (Max.) Unit: mm

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 50 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.7 В
• Power Dissipation Max: 200 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
• Корпус транзистора: TO-3P (LH)
• Current Ic Continuous a Max: 50 А
• Fall Time Typ: 150 нс
• Package / Case: TO-3P (LH)
• Power Dissipation: 200 Вт
• Power Dissipation Pd: 200 Вт
• Pulsed Current Icm: 100 А
• Rise Time: 120 нс
• Termination Type: Through Hole
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - TF 3 2
• Fischer Elektronik - WLK 5