Datasheet GT50J102 - Toshiba Даташит IGBT, 600 В, TO-3P(LH) — Даташит

Toshiba GT50J102

Наименование модели: GT50J102

Купить GT50J102 на РадиоЛоцман.Цены 5 предложений от 5 поставщиков TRANSISTOR 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, LEAD FREE, 2-21F2C, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor
Кремний Россия и страны СНГ	GT50J102	по запросу
МосЧип Россия	GT50J102(Q) Toshiba	по запросу
Akcel Весь мир	GT50J102 Toshiba	по запросу
Acme Chip Весь мир	GT50J102 Toshiba	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: IGBT, 600 В, TO-3P(LH)

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GT50J102
TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT
GT50J102
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS
l The 3rd.

Generation. l Enhancement-Mode. l High Speed. l Low Saturation Voltage. : tf = 0.30µs (Max.) : VCE(sat) = 2.7V (Max.) Unit: mm

Спецификации:

Тип транзистора: IGBT
DC Collector Current: 50 А
Collector Emitter Voltage Vces: 2.7 В
Power Dissipation Max: 200 Вт
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
Корпус транзистора: TO-3P (LH)
Current Ic Continuous a Max: 50 А
Fall Time Typ: 150 нс
Package / Case: TO-3P (LH)
Power Dissipation: 200 Вт
Power Dissipation Pd: 200 Вт
Pulsed Current Icm: 100 А
Rise Time: 120 нс
Termination Type: Through Hole
Полярность транзистора: N Channel
Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Fischer Elektronik - TF 3 2
Fischer Elektronik - WLK 5