Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet Diodes DMTH4008LFDFWQ-13R — Даташит

ПроизводительDiodes
СерияDMTH4008LFDFWQ
МодельDMTH4008LFDFWQ-13R

40 В +175 °C N-канальный МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения

Datasheets

Datasheet DMTH4008LFDFWQ
PDF, 484 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 9 сен 2025, Страниц: 8
40V +175?C N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Выписка из документа
34 предложений от 12 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 8,2А; Idm: 80А; 2,35Вт
AllElco Electronics
Весь мир
DMTH4008LFDFWQ-7
Diodes
от 6.67 ₽
ChipWorker
Весь мир
DMTH4008LFDFWQ-7
Diodes
16 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
DMTH4008LFDFWQ-7
21 ₽
DMTH4008LFDFWQ-7
Diodes
от 34 ₽
Применение интегрального датчика температуры DS18B20 в автоматизации жилых помещений

Подробное описание

Этот МОП-транзистор разработан с учётом строгих требований автомобильной промышленности.

Он сертифицирован по стандарту AEC-Q101, поддерживается PPAP и идеально подходит для использования в системах управления питанием, DC/DC-преобразователях и подсветке.

Параметры

AEC QualifiedYes
CISS Condition @|VDS| (V)20 V
CISS Typ (pF)1030 pF
Compliance (Only Automotive Supports PPAP)Automotive
ESD Diodes (Y|N)No
PD @TA = +25°C (W)2.35 W
PolarityN
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC)14.2 nC
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC)6.8 nC
RDS(ON)Max@ VGS(10V) (mΩ)11.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V) (mΩ)18 mΩ
|IDS| @TA = +25°C (A)11.6 A
|VDS| (V)40 V
|VGS(TH)| Max (V)3 V
|VGS(TH)| Min (V)1 V
|VGS| (±V)20 ±V

Модельный ряд

Классификация производителя

  • Discrete Semiconductors > MOSFETs > DMTH4008LFDFWQ

Варианты написания:

DMTH4008LFDFWQ13R, DMTH4008LFDFWQ 13R

На английском языке: Datasheet Diodes DMTH4008LFDFWQ-13R

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка