Datasheet Diodes DMTH4008LFDFWQ-7R — Даташит
| Производитель | Diodes |
| Серия | DMTH4008LFDFWQ |
| Модель | DMTH4008LFDFWQ-7R |
40 В +175 °C N-канальный МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения
Datasheets
Datasheet DMTH4008LFDFWQ
PDF, 484 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 9 сен 2025, Страниц: 8
40V +175?C N-Channel Enhancement Mode MOSFET
40V +175?C N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Выписка из документа
 Купить DMTH4008LFDFWQ на РадиоЛоцман.Цены — от 6.67 до 50 ₽34 предложений от 12 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 8,2А; Idm: 80А; 2,35Вт | |||
| DMTH4008LFDFWQ-7 Diodes | от 6.67 ₽ | ||
| DMTH4008LFDFWQ-7 | 21 ₽ | ||
| DMTH4008LFDFWQ-7 Diodes | от 34 ₽ | ||
| DMTH4008LFDFWQ-13 Diodes | по запросу | ||
Подробное описание
Этот МОП-транзистор разработан с учётом строгих требований автомобильной промышленности.
Он сертифицирован по стандарту AEC-Q101, поддерживается PPAP и идеально подходит для использования в системах управления питанием, DC/DC-преобразователях и подсветке.
Параметры
| AEC Qualified | Yes |
| CISS Condition @|VDS| (V) | 20 V |
| CISS Typ (pF) | 1030 pF |
| Compliance (Only Automotive Supports PPAP) | Automotive |
| ESD Diodes (Y|N) | No |
| PD @TA = +25°C (W) | 2.35 W |
| Polarity | N |
| QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) | 14.2 nC |
| QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) | 6.8 nC |
| RDS(ON)Max@ VGS(10V) (mΩ) | 11.5 mΩ |
| RDS(ON)Max@ VGS(4.5V) (mΩ) | 18 mΩ |
| |IDS| @TA = +25°C (A) | 11.6 A |
| |VDS| (V) | 40 V |
| |VGS(TH)| Max (V) | 3 V |
| |VGS(TH)| Min (V) | 1 V |
| |VGS| (±V) | 20 ±V |
Модельный ряд
Серия: DMTH4008LFDFWQ (6)
Классификация производителя
- Discrete Semiconductors > MOSFETs > DMTH4008LFDFWQ
Варианты написания:
DMTH4008LFDFWQ7R, DMTH4008LFDFWQ 7R
