Datasheet Nexperia PMV65XP,215 — Даташит
20 В, одинарный P-канальный Trench MOSFET
Datasheets
Datasheet PMV65XP
PDF, 742 Кб, Язык: анг., Версия: 04201705, Файл закачен: 13 окт 2025, Страниц: 14
20 V, single P-channel Trench MOSFET
20 V, single P-channel Trench MOSFET
Выписка из документа
 Купить PMV65XP,215 на РадиоЛоцман.Цены — от 2.59 до 81 ₽57 предложений от 24 поставщиков Транзисторы полевые.Вес брутто: 0.04Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*48*45/9000 | |||
| PMV65XP,215 | 4.00 ₽ | ||
| PMV65XP,215 Nexperia | от 9.82 ₽ | ||
| PMV65XP,215 Nexperia | по запросу | ||
| PMV65XP,215 Nexperia | по запросу | ||
Подробное описание
Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
Параметры
| Automotive qualified | N |
| Ciss [typ] (pF) | 744 |
| Coss [typ] (pF) | 65 |
| Channel type | P |
| ID [max] (A) | -4.3 |
| Nr of transistors | 1 |
| Ordering code (12NC) | 934058736215 |
| Ptot [max] (W) | 0.48 |
| Package name | SOT23 |
| Package version | SOT23 |
| Packing | SOT23_215 |
| Packing Quantity | 3,000 |
| Product status | Production |
| QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC) | 7.7 |
| QGD [typ] (nC) | 1.65 |
| RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ) | 92 |
| RDSon [max] @ VGS = 4.5 V; @25 C (mΩ) | 74 |
| Release date | 2011-01-24 |
| Status | Active |
| Tj [max] (°C) | 150 |
| VDS [max] (V) | -20 |
| VGS [max] (V) | 12 |
| VGSth @25 C [min] (V) | -0.47 |
| VGSth [max] @25 C (V) | -0.9 |
| VGSth [typ] (V) | -0.65 |
Модельный ряд
Классификация производителя
- MOSFETs > Small signal MOSFETs
Варианты написания:
PMV65XP215, PMV65XP 215
