Datasheet Nexperia PMV65XPER — Даташит
20 В, P-канальный транзистор Trench MOSFET
Datasheets
Datasheet PMV65XPE
PDF, 719 Кб, Язык: анг., Версия: 04201705, Файл закачен: 13 окт 2025, Страниц: 15
20 V, P-channel Trench MOSFET
20 V, P-channel Trench MOSFET
Выписка из документа
![]() 34 предложений от 13 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
PMV65XPER Nexperia | от 22 ₽ | ||
PMV65XPER TE Connectivity | 25 ₽ | ||
PMV65XPER Nexperia | от 28 ₽ | ||
PMV65XPER Nexperia | от 323 ₽ |
Подробное описание
Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
Параметры
Automotive qualified | N |
Ciss [typ] (pF) | 618 |
Coss [typ] (pF) | 80 |
Channel type | P |
ID [max] (A) | -3.3 |
Nr of transistors | 1 |
Ordering code (12NC) | 934068499215 |
Ptot [max] (W) | 0.48 |
Package name | SOT23 |
Package version | SOT23 |
Packing | SOT23_215 |
Packing Quantity | 3,000 |
Product status | Production |
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC) | 5 |
QGD [typ] (nC) | 1.1 |
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ) | 125 |
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V; @25 C (mΩ) | 78 |
Release date | 2014-04-25 |
Status | Active |
Tj [max] (°C) | 150 |
VDS [max] (V) | -20 |
VESD (kV) (kV) | 2000 |
VGS [max] (V) | 12 |
VGSth @25 C [min] (V) | -0.75 |
VGSth [max] @25 C (V) | -1.25 |
VGSth [typ] (V) | -1 |
Модельный ряд
Серия: PMV65XPE (1)
- PMV65XPER
Классификация производителя
- MOSFETs > Small signal MOSFETs