Datasheet Nexperia PMV65ENEA — Даташит
| Производитель | Nexperia |
| Серия | PMV65ENEA |
40 В, N-канальный Trench MOSFET
Datasheets
Datasheet PMV65ENEA
PDF, 733 Кб, Язык: анг., Версия: 20201703, Файл закачен: 13 окт 2025, Страниц: 16
40 V, N-channel Trench MOSFET
40 V, N-channel Trench MOSFET
Выписка из документа
 Купить PMV65ENEA на РадиоЛоцман.Цены — от 7.07 до 38 ₽7 предложений от 7 поставщиков 2.7A, 40V, N CHANNEL, SILICON, M | |||
| PMV65ENEA,215 Rochester Electronics | 7.07 ₽ | ||
| PMV65ENEA NXP | 38 ₽ | ||
| PMV65ENEA Nexperia | по запросу | ||
| PMV65ENEA Nexperia | по запросу | ||
Подробное описание
Полевой транзистор (FET) с N-каналом в режиме улучшения характеристик в небольшом пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
Параметры
| Parameters / Models | PMV65ENEAR |
|---|---|
| Automotive qualified | Y |
| Ciss [typ] (pF) | 160 |
| Coss [typ] (pF) | 25 |
| Channel type | N |
| ID [max] (A) | 2.7 |
| Nr of transistors | 1 |
| Ordering code (12NC) | 934070123215 |
| Ptot [max] (W) | 0.94 |
| Package name | SOT23 |
| Package version | SOT23 |
| Packing | SOT23_215 |
| Packing Quantity | 3,000 |
| Product status | Not for design in |
| QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC) | 4.1 |
| QGD [typ] (nC) | 0.8 |
| RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ) | 75 |
| RDSon [max] @ VGS = 4.5 V; @25 C (mΩ) | 99 |
| Release date | 2016-04-28 |
| Status | Active |
| Tj [max] (°C) | 150 |
| VDS [max] (V) | 40 |
| VGSth [typ] (V) | 1.6 |
Модельный ряд
Серия: PMV65ENEA (1)
Классификация производителя
- Automotive qualified products (AEC-Q100/Q101) > Automotive MOSFETs
