DC-DC преобразователи KEEN SIDE

Datasheet Bourns BIDW50N65T — Даташит

ПроизводительBourns
СерияBIDW50N65T
МодельBIDW50N65T

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)

Datasheets

Datasheet BIDW50N65T
PDF, 1.2 Мб, Язык: анг., Файл закачен: 7 ноя 2025, Страниц: 10
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
Выписка из документа
14 предложений от 6 поставщиков
Полупроводники - Дискретные
Зенер
Россия и страны ТС
BIDW50N65T
от 207 ₽
AllElco Electronics
Весь мир
BIDW50N65T
от 244 ₽
BIDW50N65T
Bourns
от 441 ₽
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
BIDW50N65T
по запросу
Многослойные керамические конденсаторы от лидеров азиатского рынка

Параметры

Тип IGBTTrench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 В
Current - Collector (Ic) (Max)100 А
Current - Collector Pulsed (Icm)150 А
Мощность макс.416 Вт
Тип входаСтандартный
Gate Charge123 нКл
Reverse Recovery Time (trr)37.5 нс
Рабочая температура-55~150 °C
Способ монтажаВ отверстия
Корпус
TO-247-3
Статус продуктаВ производстве
УпаковкаTube

На английском языке: Datasheet Bourns BIDW50N65T

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка