Datasheet IGA03N120H2 - Infineon Даташит IGBT,1200V,3A,TO220 — Даташит
Наименование модели: IGA03N120H2
![]() 12 предложений от 12 поставщиков Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |||
IGA03N120H2XKSA1 Infineon | 77 ₽ | ||
IGA03N120H2XKSA1 Infineon | 150 ₽ | ||
IGA03N120H2 E8153 Infineon | по запросу | ||
IGA03N120H2XKSA1 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT,1200V,3A,TO220
Краткое содержание документа:
IGA03N120H2
HighSpeed 2-Technology
C
· ·
Designed for: - TV Horizontal Line Deflection 2 generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =3A - simple Gate-Control
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 3 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.8 В
- Power Dissipation Max: 29 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
- Operating Temperature Range: -40°C to +150°C
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- AAVID THERMALLOY - MAX01G