Datasheet IGB01N120H2 - Infineon Даташит IGBT,1200V,1A,TO263 — Даташит

Купить IGB01N120H2 на РадиоЛоцман.Цены — от 26 до 449 ₽ 16 предложений от 15 поставщиков Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A
Софт-Логистик Россия	IGB01N120H2ATMA1 Infineon	74 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IGB01N120H2 Infineon	118 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IGB01N120H2ATMA1 Infineon	369 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IGB01N120H2	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT,1200V,1A,TO263

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IGB01N120H2
HighSpeed 2-Technology
C
· ·
Designed for frequency inverters for washing machines, fans, pumps and vacuum cleaners 2 generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =1A

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 1 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.8 В
• Power Dissipation Max: 28 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
• Operating Temperature Range: -40°C to +150°C
• Корпус транзистора: TO-263
• Количество выводов: 3

RoHS: есть