Клеммные колодки Keen Side

Datasheet IGB10N60T - Infineon Даташит IGBT,600V,10A,TO263 — Даташит

Infineon IGB10N60T

Наименование модели: IGB10N60T

28 предложений от 14 поставщиков
Транзистор IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3Pin
ЧипСити
Россия
IGB10N60T
Infineon
62 ₽
ЭИК
Россия
IGB10N60T
Infineon
от 161 ₽
IGB10N60T
Infineon
от 189 ₽
ТаймЧипс
Россия
IGB10N60T
Infineon
по запросу

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT,600V,10A,TO263

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TrenchStop® Series
IGB10N60T p
Low Loss IGBT in TrenchStop® and Fieldstop technology
· · · · · · · · · · ·
C

Спецификации:

  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current: 10 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.05 В
  • Power Dissipation Max: 110 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
  • Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fairchild - FSAM10SH60A

На английском языке: Datasheet IGB10N60T - Infineon IGBT,600V,10A,TO263

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка