Datasheet IGB50N60T - Infineon Даташит IGBT,600V,50A,TO263 — Даташит

Купить IGB50N60T на РадиоЛоцман.Цены — от 180 до 632 ₽ 32 предложений от 13 поставщиков Транзистор IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3Pin
Зенер Россия и страны ТС	IGB50N60T	от 180 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IGB50N60T Infineon	от 550 ₽	Купить
Augswan Весь мир	IGB50N60T Infineon	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IGB50N60T - Infineon Technologies Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT,600V,50A,TO263

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TrenchStop® Series
IGB50N60T p
Low Loss IGBT in TrenchStop® technology
· · · · · Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 °C Short circuit withstand time ­ 5µs Designed for frequency inverters for washing machines, fans, pumps and vacuum cleaners TrenchStop® technology for 600 V applications offers : - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - very high switching speed Positive temperature coefficient in VCE(sat) Low EMI Low Gate Charge Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1 for target applications Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/ VCE 600 V IC 50 A VCE(sat),Tj=25°C 1.5 V Tj,max 175 °C Marking G50T60 Package PG-TO-263-3-2
C

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 50 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2 В
• Power Dissipation Max: 333 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
• Корпус транзистора: TO-263
• Количество выводов: 3

RoHS: есть