Datasheet IGP30N60H3 - Infineon Даташит IGBT,600V,30A,TO220 — Даташит
Наименование модели: IGP30N60H3
![]() 45 предложений от 18 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные | |||
IGP30N60H3XKSA1 Infineon | от 166 ₽ | ||
IGP30N60H3XKSA1 Infineon | 306 ₽ | ||
IGP30N60H3XKSA1 Infineon | 1 459 ₽ | ||
IGP30N60H3 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT,600V,30A,TO220
Краткое содержание документа:
!
" #
'
%& ' ( ) +, '& + &! + " -" " .
+3 * + 56* + " 899 : *
!
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 30 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.4 В
- Power Dissipation Max: 187 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- AAVID THERMALLOY - MAX01G