Datasheet IGP50N60T - Infineon Даташит IGBT,600V,50A,TO220 — Даташит

Купить IGP50N60T на РадиоЛоцман.Цены — от 33 до 835 ₽ 12 предложений от 12 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Элитан Россия	IGP50N60T Infineon	275 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IGP50N60T Infineon	835 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IGP50N60T	по запросу	Купить
Океан Электроники Россия	IGP50N60T Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT,600V,50A,TO220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TrenchStop® Series
IGP50N60T IGW50N60T
Low Loss IGBT in TrenchStop® and Fieldstop technology
· · · · · Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 °C Short circuit withstand time ­ 5µs Designed for : - Frequency Converters - Uninterrupted Power Supply TrenchStop® and Fieldstop technology for 600 V applications offers : PG-TO-220-3-1 - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - very high switching speed - low VCE(sat) Positive temperature coefficient in VCE(sat) Low EMI Low Gate Charge Qualified according to JEDEC1 for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/ VCE 600 V 600 V IC 50 A 50 A VCE(sat),Tj=25°C 1.5 V 1.5 V Tj,max 175 °C 175 °C Marking G50T60 G50T60 Package PG-TO-220-3-1 PG-TO-247-3
C

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 50 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2 В
• Power Dissipation Max: 333 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• AAVID THERMALLOY - MAX01G