Datasheet IGW25N120H3 - Infineon Даташит IGBT,1200V,25A,TO247 — Даташит
Наименование модели: IGW25N120H3
![]() 45 предложений от 20 поставщиков БТИЗ транзистор, 50 А, 2.05 В, 326 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов) | |||
IGW25N120H3 Infineon | 277 ₽ | ||
IGW25N120H3 Infineon | от 392 ₽ | ||
IGW25N120H3FKSA1 Infineon | 445 ₽ | ||
IGW25N120H3FKSA1 Infineon | 563 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT,1200V,25A,TO247
Краткое содержание документа:
!
! " #$ % & () &! ( % ( * + *,* -, * ( 0, ' 1 ( $34' 5 ( * , 677 8 ' 8 *7 (, ( ( , ) 3 ) ,
'' , .
/! 2 !' " * ,* $" % 37
6
' 0,
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 25 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.4 В
- Power Dissipation Max: 326 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
- Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - THFU 2