Shenler: реле, интерфейсные модули

Datasheet IGW25N120H3 - Infineon Даташит IGBT,1200V,25A,TO247 — Даташит

Infineon IGW25N120H3

Наименование модели: IGW25N120H3

44 предложений от 19 поставщиков
БТИЗ транзистор, 50 А, 2.05 В, 326 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
ChipWorker
Весь мир
IGW25N120H3FKSA1
Infineon
221 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
IGW25N120H3
Infineon
от 378 ₽
Эиком
Россия
IGW25N120H3FKSA1
Infineon
от 409 ₽
IGW25N120H3FKSA1
Infineon
от 452 ₽
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT,1200V,25A,TO247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
!
! " #$ % & () &! ( % ( * + *,* -, * ( 0, ' 1 ( $34' 5 ( * , 677 8 ' 8 *7 (, ( ( , ) 3 ) ,
'' , .

/! 2 !' " * ,* $" % 37
6
' 0,

Спецификации:

  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current: 25 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.4 В
  • Power Dissipation Max: 326 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
  • Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
  • Корпус транзистора: TO-247
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - THFU 2

На английском языке: Datasheet IGW25N120H3 - Infineon IGBT,1200V,25A,TO247

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка