Datasheet IGW25T120 - Infineon Даташит IGBT,1200V,25A,TO247 — Даташит
Наименование модели: IGW25T120
![]() 42 предложений от 20 поставщиков Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 25А; 190Вт; TO247-3; одиночный транзистор | |||
IGW25T120 Rochester Electronics | 225 ₽ | ||
IGW25T120 Infineon | 310 ₽ | ||
IGW25T120 - Infineon Technologies Infineon | по запросу | ||
IGW25T120_09 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT,1200V,25A,TO247
Краткое содержание документа:
TrenchStop Series
®
IGW25T120
Low Loss IGBT in TrenchStop® and Fieldstop technology
C
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 25 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.2 В
- Power Dissipation Max: 190 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
- Operating Temperature Range: -40°C to +150°C
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - THFU 2