Datasheet IHW20N120R3 - Infineon Даташит IGBT+ DIODE,1200V,20A,TO247 — Даташит

Купить IHW20N120R3 на РадиоЛоцман.Цены — от 80 до 708 ₽ 37 предложений от 21 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 310000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube
ICdarom.ru Россия	IHW20N120R3FKSA1 Infineon	от 230 ₽	Купить
Romstore Россия, Беларусь	IHW20N120R3 ( H20R1203 )	от 255 ₽	Купить
Триема Россия	IHW20N120R3	308 ₽	Купить
Контест Россия	IHW20N120R3	708 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT+ DIODE,1200V,20A,TO247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IHW20N120R3
IH-series
Reverse conducting IGBT with monolithic body diode
Features: · Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only · TrenchStop® technology applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - low VCEsat - easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat · Low EMI · Qualified according to JEDEC J-STD-020 and JESD-022 for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Complete product spectrum and PSpice Models: http://www.infineon.com/igbt/ Applications: · Inductive cooking
C G E

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 20 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.7 В
• Power Dissipation Max: 310 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
• Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
• Корпус транзистора: TO-247
• Количество выводов: 3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - THFU 2