Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet IHW20N120R3 - Infineon Даташит IGBT+ DIODE,1200V,20A,TO247 — Даташит

Infineon IHW20N120R3

Наименование модели: IHW20N120R3

33 предложений от 21 поставщиков
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 310 Вт
IHW20N120R3FKSA1
Infineon
62 ₽
HXD Co.
Весь мир
IHW20N120R3FKSA1
Infineon
99 ₽
Элитан
Россия
M39014/05-2052
Kemet
220 ₽
IHW20N120R3FKSA1
Infineon
от 263 ₽

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT+ DIODE,1200V,20A,TO247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IHW20N120R3
IH-series
Reverse conducting IGBT with monolithic body diode
Features: · Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only · TrenchStop® technology applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - low VCEsat - easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat · Low EMI · Qualified according to JEDEC J-STD-020 and JESD-022 for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Complete product spectrum and PSpice Models: http://www.infineon.com/igbt/ Applications: · Inductive cooking
C G E

Спецификации:

  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current: 20 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 1.7 В
  • Power Dissipation Max: 310 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
  • Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
  • Корпус транзистора: TO-247
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - THFU 2

На английском языке: Datasheet IHW20N120R3 - Infineon IGBT+ DIODE,1200V,20A,TO247

Электронные компоненты. Скидки 15%, кэшбэк 15% и бесплатная доставка от ТМ Электроникс