Datasheet IHW30N160R2 - Infineon Даташит IGBT+ DIODE,1600V,30A,TO247 — Даташит

Купить IHW30N160R2 на РадиоЛоцман.Цены — от 71 до 1 828 ₽ 32 предложений от 21 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 312000mW 3Pin(3+Tab) TO-247
AiPCBA Весь мир	IHW30N160R2 Infineon	282 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IHW30N160R2FKSA1 Infineon	285 ₽	Купить
Софт-Логистик Россия	IHW30N160R2FKSA1 Infineon	582 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IHW30N160R2FKSA1 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT+ DIODE,1600V,30A,TO247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IHW30N160R2
Soft Switching Series
TrenchStop® Reverse Conducting (RC-)IGBT with monolithic body diode
Features: · Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage · Body diode clamps negative voltages · Trench and Fieldstop technology for 1600 V applications offers : - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior · NPT technology offers easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCE(sat) · Low EMI · Qualified according to JEDEC1 for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/ Applications: · Inductive Cooking · Soft Switching Applications Type IHW30N160R2 Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage DC collector current TC = 25°C TC = 100°C Pulsed collector current, tp limited by Tjmax Turn off safe operating area (VCE 1600V, Tj 175°C) Diode forward current TC = 25°C TC = 100°C Diode pulsed current, tp

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 30 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.1 В
• Power Dissipation Max: 312 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.6kV
• Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
• Корпус транзистора: TO-247
• Количество выводов: 3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - THFU 2