Datasheet IHW30N90T - Infineon Даташит IGBT+ DIODE,900V,30A,TO247 — Даташит

Купить IHW30N90T на РадиоЛоцман.Цены — от 22 до 1 822 ₽ 12 предложений от 11 поставщиков Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 900V 30A
AllElco Electronics Весь мир	IHW30N90T Infineon	63 ₽	Купить
Контест Россия	IHW30N90T	210 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	IHW30N90T Infineon	286 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IHW30N90T Infineon	437 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT+ DIODE,900V,30A,TO247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Soft Switching Series
IHW30N90T q
Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop® and Fieldstop technology with anti-parallel diode
Features: · 1.1V Forward voltage of antiparallel diode · TrenchStop® and Fieldstop technology for 900 V applications offers : - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCE(sat) · Low EMI · Qualified according to JEDEC1 for target applications · Application specific optimisation of inverse diode · Pb-free lead plating; RoHS compliant Applications: · Microwave Oven · Soft Switching Applications for ZCS Type IHW30N90T VCE 900V IC 30A VCE(sat),Tj=25°C 1.5V Tj,max 175°C Marking H30T90 Package PG-TO-247-3
C

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 30 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.7 В
• Power Dissipation Max: 428 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 900 В
• Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
• Корпус транзистора: TO-247
• Количество выводов: 3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - THFU 2