Datasheet IHW40T120 - Infineon Даташит IGBT+ DIODE,1200V,40A,TO247 — Даташит
Наименование модели: IHW40T120
![]() 16 предложений от 16 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные | |||
IHW40T120FKSA1 Rochester Electronics | 412 ₽ | ||
IHW40T120FKSA1 Infineon | 455 ₽ | ||
IHW40T120FKSA1 Infineon | 1 011 ₽ | ||
IHW40T120FKSA1 Rochester Electronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT+ DIODE,1200V,40A,TO247
Краткое содержание документа:
IHW40T120
Soft Switching Series
Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop® and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
C
· · ·
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 40 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.3 В
- Power Dissipation Max: 270 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
- Operating Temperature Range: -40°C to +150°C
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - THFU 2