Datasheet IHW40T60 - Infineon Даташит IGBT+ DIODE,600V,40A,TO247 — Даташит

Купить IHW40T60 на РадиоЛоцман.Цены — от 61 до 1 754 ₽ 15 предложений от 13 поставщиков Транзистор IGBT, INFINEON IHW40T60 IGBT Single Transistor, 40A, 2.05V, 303W, 600V, TO-247, 3Pins
AllElco Electronics Весь мир	IHW40T60 Infineon	61 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	IHW40T60 Infineon	221 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IHW40T60FKSA1 Infineon	271 ₽	Купить
ЭИК Россия	IHW40T60FKSA1 Infineon	574 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT+ DIODE,600V,40A,TO247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TrenchStop® Series
IHW40T60 q
Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop®-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
Features: · Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) · Maximum junction temperature 175 °C · Short circuit withstand time ­ 5µs · Trench and fieldstop technology for 600 V applications offers : - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - low VCE(sat) and positive temperature coefficient · Low EMI · Low gate charge · Qualified according to JEDEC1 for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Complete product spectrum and PSpice models : http://www.infineon.com/igbt/ Applications: · Inductive Cooking · Soft & Hard Switching Applications Type IHW40T60 VCE 600V IC 40A VCE(sat),Tj=25°C 1.55V Tj,max 175°C Marking H40T60B Package PG-TO-247-3
C

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 40 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.05 В
• Power Dissipation Max: 303 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
• Корпус транзистора: TO-247
• Количество выводов: 3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - THFU 2