Datasheet IKB10N60T - Infineon Даташит IGBT+ DIODE,600V,10A,TO263 — Даташит

Купить IKB10N60T на РадиоЛоцман.Цены — от 100 до 309 ₽ 28 предложений от 14 поставщиков Транзистор IGBT, INFINEON IKB10N60T IGBT Single Transistor, 10A, 2.05V, 110W, 600V, TO-263, 3Pins
ChipWorker Весь мир	IKB10N60T Infineon	107 ₽	Купить
Триема Россия	IKB10N60T-VB	142 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IKB10N60T Infineon	168 ₽	Купить
Augswan Весь мир	IKB10N60T Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT+ DIODE,600V,10A,TO263

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TrenchStop® Series
IKB10N60T p
Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop® and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon 3 diode
C
· · · · · · · · · · ·

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 10 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.05 В
• Power Dissipation Max: 110 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
• Корпус транзистора: TO-263
• Количество выводов: 3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fairchild - FSAM10SH60A