Datasheet IKD04N60R - Infineon Даташит IGBT+ DIODE,600V,4A,TO252 — Даташит

Купить IKD04N60R на РадиоЛоцман.Цены — от 31 до 143 ₽ 13 предложений от 10 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
ЧипСити Россия	IKD04N60R Infineon	71 ₽	Купить
727GS Весь мир	IKD04N60R Rochester Electronics	от 143 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	IKD04N60R Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IKD04N60R Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT+ DIODE,600V,4A,TO252

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
! "# $$% !
"
&'
" #
" $ !( #

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 4 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.1 В
• Power Dissipation Max: 75 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
• Корпус транзистора: TO-252
• Количество выводов: 3

RoHS: есть