HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet IKD06N60R - Infineon Даташит IGBT+ DIODE,600V,4A,TO252 — Даташит

Infineon IKD06N60R

Наименование модели: IKD06N60R

13 предложений от 10 поставщиков
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
AiPCBA
Весь мир
IKD06N60R
Infineon
29 ₽
ChipWorker
Весь мир
IKD06N60R
Infineon
29 ₽
ЧипСити
Россия
IKD06N60R
Infineon
32 ₽
Utmel
Весь мир
IKD06N60R
Infineon
от 475 ₽
Электромеханические реле Hongfa – надежность и качество 19 января 2023

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT+ DIODE,600V,4A,TO252

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
! "# $$% !
"
&'
" #
" $ !( #

Спецификации:

  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current: 6 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.1 В
  • Power Dissipation Max: 100 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
  • Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
  • Корпус транзистора: TO-252
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IKD06N60R - Infineon IGBT+ DIODE,600V,4A,TO252

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России