Линейка продуктов KEEN SIDE

Datasheet IKD06N60R - Infineon Даташит IGBT+ DIODE,600V,4A,TO252 — Даташит

Infineon IKD06N60R

Наименование модели: IKD06N60R

11 предложений от 11 поставщиков
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
AllElco Electronics
Весь мир
IKD06N60R K06R60
Infineon
по запросу
727GS
Весь мир
IKD06N60R
Infineon
по запросу
Augswan
Весь мир
IKD06N60R
Infineon
по запросу
Maybo
Весь мир
IKD06N60R
Infineon
по запросу
Инновационные элементы питания GP: зарядись энергией в КОМПЭЛ!

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT+ DIODE,600V,4A,TO252

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
! "# $$% !
"
&'
" #
" $ !( #

Спецификации:

  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current: 6 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.1 В
  • Power Dissipation Max: 100 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
  • Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
  • Корпус транзистора: TO-252
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IKD06N60R - Infineon IGBT+ DIODE,600V,4A,TO252

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка