Datasheet IKU04N60R - Infineon Даташит IGBT+ DIODE,600V,4A,TO251 — Даташит
Наименование модели: IKU04N60R
![]() 10 предложений от 10 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Module N-CH 600V 8A 3Pin(3+Tab) TO-251 | |||
IKU04N60R Infineon | 11 ₽ | ||
IKU04N60R Infineon | 95 ₽ | ||
IKU04N60R Infineon | по запросу | ||
IKU04N60R Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT+ DIODE,600V,4A,TO251
Краткое содержание документа:
! "# $$% !
"
&'
" #
" $ !( #
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 4 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.1 В
- Power Dissipation Max: 75 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
- Корпус транзистора: TO-251
- Количество выводов: 3
RoHS: есть