Datasheet IKU04N60R - Infineon Даташит IGBT+ DIODE,600V,4A,TO251 — Даташит

Купить IKU04N60R на РадиоЛоцман.Цены — от 42 до 97 ₽ 13 предложений от 10 поставщиков Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-251, GREEN, PLASTIC, IPAK-3
AiPCBA Весь мир	IKU04N60R Infineon	42 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	IKU04N60R Infineon	42 ₽	Купить
Элитан Россия	IKU04N60R Infineon	93 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	IKU04N60R Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT+ DIODE,600V,4A,TO251

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
! "# $$% !
"
&'
" #
" $ !( #

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 4 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.1 В
• Power Dissipation Max: 75 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
• Корпус транзистора: TO-251
• Количество выводов: 3

RoHS: есть