Datasheet IKW03N120H2 - Infineon Даташит IGBT+ DIODE,1200V,3A,TO247 — Даташит

Купить IKW03N120H2 на РадиоЛоцман.Цены — от 112 до 314 ₽ 13 предложений от 13 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube
AiPCBA Весь мир	IKW03N120H2FKSA1 Infineon	139 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IKW03N120H2FKSA1 Infineon	282 ₽	Купить
Maybo Весь мир	IKW03N120H2FKSA1 Rochester Electronics	по запросу	Купить
LifeElectronics Россия	IKW03N120H2 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT+ DIODE,1200V,3A,TO247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IKP03N120H2 IKW03N120H2
HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
C
·
Designed for: - SMPS - Lamp Ballast - ZVS-Converter 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =3A Qualified according to JEDEC2 for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/ VCE 1200V 1200V IC 3A 3A Eoff 0.15mJ 0.15mJ Tj 150°C 150°C Marking K03H1202 K03H1202 Package PG-TO-247-3 PG-TO-220-3-1

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 3 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.8 В
• Power Dissipation Max: 62.5 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
• Operating Temperature Range: -40°C to +150°C
• Корпус транзистора: TO-247
• Количество выводов: 3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - THFU 2