Datasheet IKW15N120T2 - Infineon Даташит IGBT+ DIODE, 1200 В, 15 А, TO247 — Даташит
Наименование модели: IKW15N120T2
![]() 42 предложений от 20 поставщиков Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 30А; 235Вт; TO247-3; одиночный транзистор | |||
IKW15N120T2 Infineon | 115 ₽ | ||
IKW15N120T2FKSA1 Infineon | 211 ₽ | ||
IKW15N120T2 Infineon | от 348 ₽ | ||
IKW15N120T2 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT+ DIODE, 1200 В, 15 А, TO247
Краткое содержание документа:
TrenchStop 2
®
nd
IKW15N120T2
generation Series
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 15 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.2 В
- Power Dissipation Max: 235 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
- Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - THFU 2