Datasheet IKW20N60H3 - Infineon Даташит IGBT+ DIODE, 600 В, 20 А, TO247 — Даташит

Купить IKW20N60H3 на РадиоЛоцман.Цены — от 39 до 630 ₽ 32 предложений от 19 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные
AllElco Electronics Весь мир	IKW20N60H3FKSA1 Infineon	от 39 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IKW20N60H3 Infineon	134 ₽	Купить
Microfind Россия	IKW20N60H3 Infineon	458 ₽	Купить
Augswan Весь мир	IKW20N60H3 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT+ DIODE, 600 В, 20 А, TO247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
!"#$%&$ '
&$$(
)*
+
!"#$%&$ '

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 20 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.4 В
• Power Dissipation Max: 170 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
• Корпус транзистора: TO-247
• Количество выводов: 3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - THFU 2