Datasheet IKW20N60H3 - Infineon Даташит IGBT+ DIODE, 600 В, 20 А, TO247 — Даташит
Наименование модели: IKW20N60H3
![]() 35 предложений от 18 поставщиков Транзистор: IGBT; 600В; 20А; 85Вт; TO247-3; одиночный транзистор | |||
IKW20N60H3FKSA1 Infineon | 151 ₽ | ||
IKW20N60H3FKSA1 Infineon | 173 ₽ | ||
IKW20N60H3FKSA1 Infineon | от 242 ₽ | ||
IKW20N60H3 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT+ DIODE, 600 В, 20 А, TO247
Краткое содержание документа:
!"#$%&$ '
&$$(
)*
+
!"#$%&$ '
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 20 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.4 В
- Power Dissipation Max: 170 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - THFU 2