Datasheet IKW25N120T2 - Infineon Даташит IGBT+ DIODE, 1200 В, 25 А, TO247 — Даташит
Наименование модели: IKW25N120T2
![]() 60 предложений от 25 поставщиков Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 50А; 349Вт; TO247-3; одиночный транзистор | |||
IKW25N120T2FKSA1 Infineon | от 119 ₽ | ||
IKW25N120T2 Infineon | 333 ₽ | ||
IKW25N120T2 (K25T1202) | от 640 ₽ | ||
IKW25N120T2FKSA1 Infineon | от 649 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT+ DIODE, 1200 В, 25 А, TO247
Краткое содержание документа:
TrenchStop 2
®
nd
IKW25N120T2
generation Series
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 25 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.2 В
- Power Dissipation Max: 349 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
- Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - THFU 2