Datasheet IKW30N60H3 - Infineon Даташит IGBT+ DIODE, 600 В, 20 А, TO247 — Даташит

Купить IKW30N60H3 на РадиоЛоцман.Цены — от 46 до 440 ₽ 65 предложений от 27 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные
ЧипСити Россия	IKW30N60H3 Infineon	60 ₽	Купить
Берёзка Электронные Компоненты Россия	IKW30N60H3FKSA1 Infineon	от 113 ₽	Купить
PL-1 Россия	K30H603 (=IKW30N60H3)	от 296 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IKW30N60H3	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT+ DIODE, 600 В, 20 А, TO247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
!"#$%&$ #
&$$'
()
*
!"#$%&$ #

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 30 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.4 В
• Power Dissipation Max: 187 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
• Корпус транзистора: TO-247
• Количество выводов: 3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - THFU 2