Datasheet IKW40N120T2 - Infineon Даташит IGBT+ DIODE, 1200 В, 40 А, TO247 — Даташит
Наименование модели: IKW40N120T2
![]() 66 предложений от 25 поставщиков Транзисторы разные.Вес брутто: 7.89Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*48*45/180 | |||
IKW40N120T2FKSA1 Infineon | 139 ₽ | ||
IKW40N120T2 Infineon | 244 ₽ | ||
IKW40N120T2FKSA1 Infineon | 289 ₽ | ||
IKW40N120T2 Infineon | 706 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT+ DIODE, 1200 В, 40 А, TO247
Краткое содержание документа:
TrenchStop 2
®
nd
IKW40N120T2
Generation Series
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 40 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.2 В
- Power Dissipation Max: 480 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
- Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - THFU 2