Источники питания KEEN SIDE

Datasheet IKW40N120T2 - Infineon Даташит IGBT+ DIODE, 1200 В, 40 А, TO247 — Даташит

Infineon IKW40N120T2

Наименование модели: IKW40N120T2

61 предложений от 25 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные
Microfind
Россия
IKW40N120T2
Infineon
189 ₽
ICdarom.ru
Россия
IKW40N120T2FKSA1 INFIN TO-247
Infineon
от 314 ₽
Триема
Россия
IKW40N120T2 to-247 (код K40T120) транзистор
338 ₽
IKW40N120T2FKSA1
Infineon
от 1 044 ₽
Выбираем оптимальный датчик влажности: обзор решений Winsen, HOPERF, Novosense и других компаний

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT+ DIODE, 1200 В, 40 А, TO247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TrenchStop 2
®
nd
IKW40N120T2
Generation Series

Спецификации:

  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current: 40 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.2 В
  • Power Dissipation Max: 480 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
  • Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
  • Корпус транзистора: TO-247
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - THFU 2

На английском языке: Datasheet IKW40N120T2 - Infineon IGBT+ DIODE, 1200 V, 40 A, TO247

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка