Datasheet VS-GA200SA60SP - Vishay Даташит IGBT, SOT-227 — Даташит

Купить VS-GA200SA60SP на РадиоЛоцман.Цены 7 предложений от 7 поставщиков Транзистор IGBT, VISHAY VS-GA200SA60SP IGBT Single Transistor, 200A, 1.1V, 630W, 600V, ISOTOP, 4Pins
Кремний Россия и страны СНГ	VS-GA200SA60SP	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	VS-GA200SA60SP	по запросу	Купить
727GS Весь мир	VS-GA200SA60SP Vishay	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	VS-GA200SA60SP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: IGBT, SOT-227

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD- 50070A
/) 5)$5
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Features
· Standard : Optimized for minimum saturation voltage and low operating frequencies up to 1kHz · Lowest conduction losses available · Fully isolated package ( 2,500 volt AC) · Very low internal inductance ( 5 nH typ.) · Industry standard outline

Спецификации:

• DC Collector Current: 200 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.1 В
• Power Dissipation Max: 630 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Корпус транзистора: ISOTOP
• Количество выводов: 4
• Current Ic Continuous a Max: 200 А
• Current Temperature: 25°C
• Fall Time tf: 660 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Тип корпуса: ISOTOP
• Power Dissipation: 630 Вт
• Power Dissipation Pd: 630 Вт
• Pulsed Current Icm: 400 А
• Rise Time: 60 нс
• Способ монтажа: Screw
• Полярность транзистора: N Channel
• Тип транзистора:
• Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Nettlefolds - MB04040010007FA
• SCHRODER - 13459

Варианты написания:

VSGA200SA60SP, VS GA200SA60SP