Datasheet VS-GA200SA60SP - Vishay Даташит IGBT, SOT-227 — Даташит
Наименование модели: VS-GA200SA60SP
Купить VS-GA200SA60SP на РадиоЛоцман.Цены — от 1 008 до 126 452 ₽ 5 предложений от 5 поставщиков VISHAY VS-GA200SA60SP IGBT Single Transistor, 200 A, 1.1 V, 630 W, 600 V, ISOTOP, 4 | |||
| VS-GA200SA60SP Vishay | 1 008 ₽ | ||
| VS-GA200SA60SP Vishay | 126 452 ₽ | ||
| VS-GA200SA60SP Vishay | по запросу | ||
| VS-GA200SA60SP | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: IGBT, SOT-227
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
PD- 50070A
/) 5)$5
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Features
· Standard : Optimized for minimum saturation voltage and low operating frequencies up to 1kHz · Lowest conduction losses available · Fully isolated package ( 2,500 volt AC) · Very low internal inductance ( 5 nH typ.) · Industry standard outline
Спецификации:
- DC Collector Current: 200 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.1 В
- Power Dissipation Max: 630 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Корпус транзистора: ISOTOP
- Количество выводов: 4
- Current Ic Continuous a Max: 200 А
- Current Temperature: 25°C
- Fall Time tf: 660 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Тип корпуса: ISOTOP
- Power Dissipation: 630 Вт
- Power Dissipation Pd: 630 Вт
- Pulsed Current Icm: 400 А
- Rise Time: 60 нс
- Способ монтажа: Screw
- Полярность транзистора: N Channel
- Тип транзистора:
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Nettlefolds - MB04040010007FA
- SCHRODER - 13459
Варианты написания:
VSGA200SA60SP, VS GA200SA60SP
