Datasheet IRG4BC30UPBF - International Rectifier Даташит IGBT, 600 В, 23 А, TO-220 — Даташит
Наименование модели: IRG4BC30UPBF
![]() 42 предложений от 21 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | |||
IRG4BC30UPBF Infineon | 71 ₽ | ||
IRG4BC30UPBF Infineon | от 136 ₽ | ||
IRG4BC30UPBF Infineon | 211 ₽ | ||
IRG4BC30UPBF International Rectifier | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: IGBT, 600 В, 23 А, TO-220
Краткое содержание документа:
PD - 95169A
IRG4BC30UPbF
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Features
UltraFast: optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 Industry standard TO-220AB package Lead-Free
Спецификации:
- DC Collector Current: 23 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.5 В
- Power Dissipation Max: 100 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- Current Ic Continuous a Max: 23 А
- Current Temperature: 25°C
- Fall Time Max: 97 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: TO-220
- Power Dissipation: 100 Вт
- Power Dissipation Pd: 100 Вт
- Pulsed Current Icm: 92 А
- Rise Time: 9.6 нс
- Способ монтажа: Through Hole
- Полярность транзистора: N Channel
- Тип транзистора:
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть