Datasheet IRG4RC10SDTRPBF - International Rectifier Даташит IGBT, COPAK, D-PAK — Даташит
Наименование модели: IRG4RC10SDTRPBF
![]() 14 предложений от 12 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/R | |||
IRG4RC10SDTRPBF Rochester Electronics | от 55 ₽ | ||
IRG4RC10SDTRPBF Rochester Electronics | от 158 ₽ | ||
IRG4RC10SDTRPBF Infineon | по запросу | ||
IRG4RC10SDTRPBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: IGBT, COPAK, D-PAK
Краткое содержание документа:
PD-91678B
IRG4RC10SD
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Features
· Extremely low voltage drop 1.1V(typ) @ 2A · S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3 KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives.
· Tight parameter distribution · IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations · Industry standard TO-252AA package
Спецификации:
- DC Collector Current: 14 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.1 В
- Power Dissipation Max: 38 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Корпус транзистора: D-PAK
- Количество выводов: 3
- Alternate Case Style: TO-252
- Current Ic Continuous a Max: 14 А
- Тип корпуса: D-PAK
- Power Dissipation: 38 Вт
- Power Dissipation Pd: 38 Вт
- Pulsed Current Icm: 18 А
- Rise Time: 32 нс
- Способ монтажа: SMD
- Полярность транзистора: N Channel
- Тип транзистора:
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLPG 02