Datasheet IGP03N120H2 - Infineon Даташит IGBT, N, 1200 В, 3.9 А, TO-220 — Даташит

Купить IGP03N120H2 на РадиоЛоцман.Цены — от 14 до 76 ₽ 12 предложений от 12 поставщиков Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
ChipWorker Весь мир	IGP03N120H2XKSA1 Infineon	56 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	IGP03N120H2XKSA1 Infineon	76 ₽	Купить
МосЧип Россия	IGP03N120H2_08 Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IGP03N120H2 Rochester Electronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, N, 1200 В, 3.9 А, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IGP03N120H2 IGW03N120H2
HighSpeed 2-Technology
C
·
Designed for: - SMPS - Lamp Ballast - ZVS-Converter - optimised for soft-switching / resonant topologies 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =3A

Спецификации:

• DC Collector Current: 9.6 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.8 В
• Power Dissipation Max: 62.5 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• Current Ic Continuous a Max: 3.9 А
• Количество транзисторов: 1
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Тип корпуса: TO-220
• Power Dissipation: 62.5 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Полярность транзистора: N Channel
• Тип транзистора:
• Voltage Vces: 1.2kV

RoHS: есть