Datasheet IKA03N120H2 - Infineon Даташит IGBT, N, 1200 В, 3 А, TO-220 — Даташит

Купить IKA03N120H2 на РадиоЛоцман.Цены 11 предложений от 11 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 8.2A 29000mW 3Pin(3+Tab) TO-220FP
AiPCBA Весь мир	IKA03N120H2XKSA1 Infineon	113 ₽	Купить
TradeElectronics Россия	IKA03N120H2E8153 Infineon	по запросу	Купить
LifeElectronics Россия	IKA03N120H2 Infineon	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IKA03N120H2 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, N, 1200 В, 3 А, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IKA03N120H2
HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
C
· ·
Designed for: - TV ­ Horizontal Line Deflection 2 generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Integrated anti-parallel diode - Eoff optimized for IC =3A

Спецификации:

• DC Collector Current: 8.2 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.8 В
• Power Dissipation Max: 29 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• Current Ic Continuous a Max: 3 А
• Количество транзисторов: 1
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Тип корпуса: TO-220
• Power Dissipation: 29 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Полярность транзистора: N Channel
• Тип транзистора:
• Voltage Vces: 1.2kV

RoHS: есть