Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet IXER35N120D1 - IXYS Даташит IGBT, ISOPLUS247 — Даташит

IXYS IXER35N120D1

Наименование модели: IXER35N120D1

12 предложений от 12 поставщиков
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A
ТаймЧипс
Россия
IXER35N120D1_06
IXYS
по запросу
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
IXER35N120D1
Littelfuse
по запросу
Lixinc Electronics
Весь мир
IXER35N120D1
по запросу
Augswan
Весь мир
IXER35N120D1
IXYS
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: IGBT, ISOPLUS247

Спецификации:

  • DC Collector Current: 50 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.2 В
  • Power Dissipation Max: 200 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
  • Корпус транзистора: ISOPLUS-247
  • Количество выводов: 3
  • Current Ic Continuous a Max: 50 А
  • Fall Time tf: 50 нс
  • Junction to Case Thermal Resistance A: 0.6°C/W
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Тип корпуса: ISOPLUS-247
  • Pin Configuration: Copack (FRD)
  • Power Dissipation: 200 Вт
  • Rise Time: 50 нс
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Тип транзистора:
  • Voltage Vces: 1.2kV

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IXER35N120D1 - IXYS IGBT, ISOPLUS247

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка