Datasheet STGP10NB60SD - STMicroelectronics Даташит IGBT, TO-220 — Даташит

Купить STGP10NB60SD на РадиоЛоцман.Цены — от 34 до 438 ₽ 39 предложений от 19 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные
ChipWorker Весь мир	STGP10NB60SD STMicroelectronics	115 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	STGP10NB60SD STMicroelectronics	от 208 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	STGP10NB60SD STMicroelectronics	281 ₽	Купить
Софт-Логистик Россия	STGP10NB60SD STMicroelectronics	388 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: IGBT, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STGP10NB60SD
N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220 Low Drop PowerMESHTM IGBT
General features
Type STGP10NB60SD
VCES 600V

Данные для моделирования

Спецификации:

• DC Collector Current: 20 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.7 В
• Power Dissipation Max: 31.5 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Корпус транзистора: TO-220
• Current Ic Continuous a Max: 20 А
• Current Temperature: 25°C
• Fall Time tf: 1200 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

  +150°C

• Тип корпуса: TO-220
• Power Dissipation: 31.5 Вт
• Power Dissipation Pd: 80 Вт
• Rise Time: 0.46 нс
• Способ монтажа: Through Hole
• Полярность транзистора: N Channel
• Тип транзистора:
• Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть