Datasheet STGP10NB60SD - STMicroelectronics Даташит IGBT, TO-220 — Даташит

Купить STGP10NB60SD на РадиоЛоцман.Цены — от 34 до 439 ₽ 33 предложений от 18 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 29A 80000mW 3Pin(3+Tab) TO-220 Tube
ChipWorker Весь мир	STGP10NB60SD STMicroelectronics	115 ₽	Купить
ЭИК Россия	STGP10NB60SD STMicroelectronics	от 207 ₽	Купить
ЧипСити Россия	STGP10NB60SD STMicroelectronics	284 ₽	Купить
727GS Весь мир	STGP10NB60SD STMicroelectronics	от 439 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: IGBT, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STGP10NB60SD
N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220 Low Drop PowerMESHTM IGBT
General features
Type STGP10NB60SD
VCES 600V

Данные для моделирования

Спецификации:

• DC Collector Current: 20 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.7 В
• Power Dissipation Max: 31.5 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Корпус транзистора: TO-220
• Current Ic Continuous a Max: 20 А
• Current Temperature: 25°C
• Fall Time tf: 1200 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

  +150°C

• Тип корпуса: TO-220
• Power Dissipation: 31.5 Вт
• Power Dissipation Pd: 80 Вт
• Rise Time: 0.46 нс
• Способ монтажа: Through Hole
• Полярность транзистора: N Channel
• Тип транзистора:
• Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть