Datasheet VS-GT100DA60U - Vishay Даташит TRANSISTOR, IGBT, 600 В, 100 А, SOT227 — Даташит
Наименование модели: VS-GT100DA60U
6 предложений от 6 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - SOT-227 IGBT | |||
VS-GT100DA60U | по запросу | ||
VS-GT100DA60U Vishay | по запросу | ||
VS-GT100DA60U Vishay | по запросу | ||
VS-GT100DA60U Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: TRANSISTOR, IGBT, 600 В, 100 А, SOT227
Краткое содержание документа:
GT100DA60U
Vishay Semiconductors
Insulated Gate Bipolar Transistor (Trench IGBT), 100 A
FEATURES
· Trench IGBT technology temperature coefficient · Square RBSOA · 3 s short circuit capability · FRED Pt® antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery
Спецификации:
- DC Collector Current: 184 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.72 В
- Power Dissipation Max: 577 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Корпус транзистора: SOT-227
- Количество выводов: 4
- Рабочий диапазон температрур: -40В°C ...
+175В°C
- Тип транзистора: IGBT
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Electrolube - HTS35SL
- Powerex - M57962L
Варианты написания:
VSGT100DA60U, VS GT100DA60U