Datasheet VS-GT100DA120U - Vishay Даташит IGBT, CHOPPER, 1200 В, 100 А, SOT227 — Даташит
Наименование модели: VS-GT100DA120U
, IGBT Single Transistor, 258A, 1.73V, 893W, 1.2kV, SOT-227, 4Pins | |||
VS-GT100DA120U Vishay | 3 076 ₽ | ||
VS-GT100DA120U | по запросу | ||
VS-GT100DA120U Vishay | по запросу | ||
VS-GT100DA120U Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: IGBT, CHOPPER, 1200 В, 100 А, SOT227
Краткое содержание документа:
GT100DA120U
Vishay Semiconductors
Insulated Gate Bipolar Transistor (Trench IGBT), 100 A
FEATURES
· Trench IGBT technology temperature coefficient · Square RBSOA · 10 s short circuit capability · HEXFRED® antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery
Спецификации:
- DC Collector Current: 258 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.73 В
- Power Dissipation Max: 893 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
- Корпус транзистора: SOT-227
- Количество выводов: 4
- Рабочий диапазон температрур: -40В°C ...
+150В°C
- Тип транзистора: IGBT
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Electrolube - HTS35SL
Варианты написания:
VSGT100DA120U, VS GT100DA120U