Datasheet VS-GB70NA60UF - Vishay Даташит TRANSISTOR, IGBT, 600 В, 70 А, SOT227 — Даташит

Наименование модели: VS-GB70NA60UF
17 предложений от 10 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — модули  | |||
| VS-GB70NA60UF Vishay  | 1 938 ₽ | ||
| VS-GB70NA60UF Vishay  | 2 372 ₽ | ||
| VS-GB70NA60UF Vishay  | 4 718 ₽ | ||
| VS-GB70NA60UF Vishay  | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: TRANSISTOR, IGBT, 600 В, 70 А, SOT227
Краткое содержание документа:
GB70NA60UF
Vishay Semiconductors
"High Side Chopper" IGBT SOT-227 (Warp 2 Speed IGBT), 70 A
FEATURES
· NPT warp 2 speed IGBT technology with positive temperature coefficient · Square RBSOA · Low VCE(on) · FRED Pt® hyperfast rectifier · Fully isolated package
Спецификации:
- DC Collector Current: 111 А
 - Collector Emitter Voltage Vces: 2.23 В
 - Power Dissipation Max: 447 Вт
 - Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
 - Корпус транзистора: SOT-227
 - Количество выводов: 4
 - Рабочий диапазон температрур: -40В°C ...
+150В°C
 - Тип транзистора: IGBT
 
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Electrolube - HTS35SL
 - Powerex - M57962L
 
Варианты написания:
VSGB70NA60UF, VS GB70NA60UF






