Datasheet VS-GB70NA60UF - Vishay Даташит TRANSISTOR, IGBT, 600 В, 70 А, SOT227 — Даташит
Наименование модели: VS-GB70NA60UF
![]() 11 предложений от 8 поставщиков Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600 volt 70 amp | |||
VS-GB70NA60UF Vishay | 2 389 ₽ | ||
VS-GB70NA60UF Vishay | от 3 452 ₽ | ||
VS-GB70NA60UF Vishay | 4 718 ₽ | ||
VS-GB70NA60UF Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: TRANSISTOR, IGBT, 600 В, 70 А, SOT227
Краткое содержание документа:
GB70NA60UF
Vishay Semiconductors
"High Side Chopper" IGBT SOT-227 (Warp 2 Speed IGBT), 70 A
FEATURES
· NPT warp 2 speed IGBT technology with positive temperature coefficient · Square RBSOA · Low VCE(on) · FRED Pt® hyperfast rectifier · Fully isolated package
Спецификации:
- DC Collector Current: 111 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.23 В
- Power Dissipation Max: 447 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Корпус транзистора: SOT-227
- Количество выводов: 4
- Рабочий диапазон температрур: -40В°C ...
+150В°C
- Тип транзистора: IGBT
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Electrolube - HTS35SL
- Powerex - M57962L
Варианты написания:
VSGB70NA60UF, VS GB70NA60UF