Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Datasheet VS-GB70NA60UF - Vishay Даташит TRANSISTOR, IGBT, 600 В, 70 А, SOT227

Vishay VS-GB70NA60UF

Наименование модели: VS-GB70NA60UF

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: TRANSISTOR, IGBT, 600 В, 70 А, SOT227

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GB70NA60UF
Vishay Semiconductors
"High Side Chopper" IGBT SOT-227 (Warp 2 Speed IGBT), 70 A
FEATURES
· NPT warp 2 speed IGBT technology with positive temperature coefficient · Square RBSOA · Low VCE(on) · FRED Pt® hyperfast rectifier · Fully isolated package

Спецификации:

  • DC Collector Current: 111 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.23 В
  • Power Dissipation Max: 447 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
  • Корпус транзистора: SOT-227
  • Количество выводов: 4
  • Рабочий диапазон температрур: -40В°C ... +150В°C
  • Тип транзистора: IGBT

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Electrolube - HTS35SL
  • Powerex - M57962L

Варианты написания:

VSGB70NA60UF, VS GB70NA60UF

На английском языке: Datasheet VS-GB70NA60UF - Vishay TRANSISTOR, IGBT, 600 V, 70 A, SOT227

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600 volt 70 amp
ПоставщикПроизводительЦена
ЭИКVishayпо запросу
T-electronVishayпо запросу
LifeElectronicsпо запросу
Бесснаберный FLYBACK с транзисторами 950 В P7
Уникальный подход MORNSUN к разработке DC/DC-преобразователей
Срезы ↓
Новая Инженерная Школа
Новая Инженерная Школа
Курсы и семинары для инженеров, технологов, разработчиков и конструкторов предприятий приборостроения.

Рейтинг@Mail.ru