Datasheet VS-GB50NA120UX - Vishay Даташит TRANSISTOR, IGBT, 1200 В, 50 А, SOT227 — Даташит
Наименование модели: VS-GB50NA120UX
![]() 5 предложений от 5 поставщиков Транзистор IGBT, VISHAY VS-GB50NA120UX IGBT Single Transistor, 84A, 3.22V, 431W, 1.2kV, SOT-227, 4Pins | |||
VS-GB50NA120UX Vishay | 2 383 ₽ | ||
VS-GB50NA120UX Vishay | 2 697 ₽ | ||
VS-GB50NA120UX Vishay | по запросу | ||
VS-GB50NA120UX | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: TRANSISTOR, IGBT, 1200 В, 50 А, SOT227
Краткое содержание документа:
GB50NA120UX
Vishay Semiconductors
"High Side Chopper" IGBT SOT-227 (Ultrafast IGBT), 50 A
FEATURES
· NPT Generation V IGBT technology · Square RBSOA · HEXFRED® clamping diode · Positive VCE(on) temperature coefficient · Fully isolated package
Спецификации:
- DC Collector Current: 84 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 3.22 В
- Power Dissipation Max: 431 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
- Корпус транзистора: SOT-227
- Количество выводов: 4
- Рабочий диапазон температрур: -40В°C ...
+150В°C
- Тип транзистора: IGBT
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Electrolube - HTS35SL
Варианты написания:
VSGB50NA120UX, VS GB50NA120UX