Datasheet 2MBI100TA-060-50 - Fuji Electric Даташит IGBT, сдвоенный, MODULE, 100 А, 600 В, NPT — Даташит
Наименование модели: 2MBI100TA-060-50
![]() БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 100 А, 2.4 В, 310 Вт, 150 °C, Module | |||
2MBI100TA-060-50 Fuji | 3 514 ₽ | ||
2MBI100TA06050 | 200 152 ₽ | ||
2MBI100TA-060-50 Fuji Electric | по запросу | ||
2MBI100TA-060-50 Fuji Electric | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fuji Electric
Описание: IGBT, сдвоенный, MODULE, 100 А, 600 В, NPT
Краткое содержание документа:
2MBI100TA-060
1.
Outline Drawing ( Unit : mm )
2. Equivalent circuit
MS5F 5289
3 14
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 100 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.4 В
- Рассеиваемая мощность: 310 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Корпус транзистора: Module
- Количество выводов: 7
- Current Ic @ Vce Sat: 100 А
- Current Ic Continuous a Max: 100 А
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 34 мм
- Внешняя длина / высота: 30 мм
- Внешняя ширина: 92 мм
- Fall Time tf: 400 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Напряжение изоляции: 2.5 кВ
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: M232
- Рассеиваемая мощность максимальная: 310 Вт
- Pulsed Current Icm: 200 А
- Rise Time: 400 нс
- Способ монтажа: Screw
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть
Варианты написания:
2MBI100TA06050, 2MBI100TA 060 50