Datasheet 2MBI100U4A-120-50 - Fuji Electric Даташит IGBT, сдвоенный, MODULE, 100 А, 1200 В — Даташит

Купить 2MBI100U4A-120-50 на РадиоЛоцман.Цены Транзистор IGBT, FUJI ELECTRIC 2MBI100U4A-120-50 IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 150A, 2.2V, 540W, 1.2kV, Module
ChipWorker Весь мир	2MBI100U4A-120-50 Fuji	4 459 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	2MBI100U4A120-50 Fujitsu	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	2MBI100U4A-120-50 Fujitsu	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	2MBI100U4A-120-50	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fuji Electric

Описание: IGBT, сдвоенный, MODULE, 100 А, 1200 В

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPECIFICATION
Device Name Type Name Spec.

No.
: : :
IGBT MODULE
2MBI100U4A-120 MS5F 6061

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 150 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.2 В
• Рассеиваемая мощность: 540 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +125°C
• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 7
• Current Ic @ Vce Sat: 100 А
• Current Ic Continuous a Max: 150 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 34 мм
• Внешняя длина / высота: 30 мм
• Внешняя ширина: 92 мм
• Fall Time tf: 410 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Напряжение изоляции: 2.5 кВ
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: M232
• Рассеиваемая мощность максимальная: 540 Вт
• Pulsed Current Icm: 300 А
• Rise Time: 320 нс
• Способ монтажа: Screw
• Voltage Vces: 1.2 кВ

RoHS: есть

Варианты написания:

2MBI100U4A12050, 2MBI100U4A 120 50