Datasheet 2MBI150U2A-060-50 - Fuji Electric Даташит IGBT, сдвоенный, MODULE, 150 А, 600 В, NPT — Даташит

Купить 2MBI150U2A-060-50 на РадиоЛоцман.Цены 7 предложений от 7 поставщиков Транзистор IGBT, FUJI ELECTRIC 2MBI150U2A-060-50 IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 150A, 2.35V, 500W, 600V, Module
ChipWorker Весь мир	2MBI150U2A-060-50 Fuji	2 058 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	2MBI150U2A-060-50 Fuji	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	2MBI150U2A-060-50	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	2MBI150U2A-060-50 Fuji Electric	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fuji Electric

Описание: IGBT, сдвоенный, MODULE, 150 А, 600 В, NPT

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
2MBI150U2A-060
IGBT Module U-Series
Features
· High speed switching · Voltage drive · Low inductance module structure
600V / 150A 2 in one-package

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 150 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.35 В
• Рассеиваемая мощность: 500 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 7
• Current Ic @ Vce Sat: 150 А
• Current Ic Continuous a Max: 150 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 34 мм
• Внешняя длина / высота: 30 мм
• Внешняя ширина: 92 мм
• Fall Time tf: 480 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Напряжение изоляции: 2.5 кВ
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: M232
• Рассеиваемая мощность максимальная: 500 Вт
• Pulsed Current Icm: 300 А
• Rise Time: 400 нс
• Способ монтажа: Screw
• Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Варианты написания:

2MBI150U2A06050, 2MBI150U2A 060 50