Datasheet 2MBI150U4B-120-50 - Fuji Electric Даташит IGBT, сдвоенный, MODULE, 150 А, 1200 В — Даташит

Купить 2MBI150U4B-120-50 на РадиоЛоцман.Цены 6 предложений от 6 поставщиков DUAL IGBT MODULE 150A 1200V TRENCH; Transistor Type: IGBT Module; Transistor Polarity: Trench; Voltage Vces: 1200V;...
ChipWorker Весь мир	2MBI150U4B-120-50 Fuji	6 396 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	2MBI150U4B-120-50 Fuji	по запросу	Купить
727GS Весь мир	2MBI150U4B-120-50 Fuji Electric	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	2MBI150U4B-120-50 Fujitsu	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fuji Electric

Описание: IGBT, сдвоенный, MODULE, 150 А, 1200 В

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPECIFICATION
Device Name Type Name Spec.

No.
: : :
IGBT MODULE
(RoHS compliant product)

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 200 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.2 В
• Рассеиваемая мощность: 780 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 7
• Current Ic @ Vce Sat: 150 А
• Current Ic Continuous a Max: 200 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 45 мм
• Внешняя длина / высота: 30 мм
• Внешняя ширина: 92 мм
• Fall Time tf: 410 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Напряжение изоляции: 2.5 кВ
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: M233
• Рассеиваемая мощность максимальная: 780 Вт
• Pulsed Current Icm: 400 А
• Rise Time: 320 нс
• Способ монтажа: Screw
• Voltage Vces: 1.2 кВ

RoHS: есть

Варианты написания:

2MBI150U4B12050, 2MBI150U4B 120 50