Datasheet 2MBI200SB-120-50 - Fuji Electric Даташит IGBT, 2 PACK MOD, 1200 В, 200 А, M235 — Даташит

Купить 2MBI200SB-120-50 на РадиоЛоцман.Цены Транзистор IGBT, FUJI ELECTRIC 2MBI200SB-120-50 IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 200A, 2.6V, 1.5kW, 1.2kV, Module
ChipWorker Весь мир	2MBI200SB-120-50 Fuji	10 181 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Fuji Electric

Описание: IGBT, 2 PACK MOD, 1200 В, 200 А, M235

Скачать Data Sheet

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 200 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.6 В
• Power Dissipation Max: 1.5 кВт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
• Корпус транзистора: Module
• Количество выводов: 7

RoHS: есть

Варианты написания:

2MBI200SB12050, 2MBI200SB 120 50